特斯拉与SpaceX创始人埃隆·马斯克在社交平台上分享了他对中国制造业的看法，强调一旦中国掌握了某项产品的生产技术，其规模化能力将超出其他国家。他以锂离子电池和太阳能产品为例，指出中国在制造规模方面的优势，虽然他认可SpaceX在火箭发射方面依然在全球处于领先地位。
马斯克表示，内存芯片领域可能会遵循类似的发展轨迹。他提到，几年前内存被视为低毛利的大宗商品，而新的标准化设计（如LP5和LP6）为不同制造商的规模化生产提供了机遇。如果中国厂商能快速解决生产和良率方面的问题，传统内存市场的竞争格局或将出现显著变化。此言论发布前后，全球存储芯片市场产生了明显波动。美光科技的股价在美股交易中下跌3.88%，拖累纳指表现。
在近期于上海举办的集成芯片大会上，长鑫科技总裁介绍了公司在新型DRAM器件、4F²架构和混合键合技术上的进展，并宣布预计在2026年底推出新一代DDR5 RDIMM产品。该架构核心是自主研发的VSG晶体管，采用垂直布局设计，旨在解决漏电和短沟道效应等问题，同时提升存储密度。
与主流的6F²架构相比，4F²大幅缩减存储单元面积，预计在相同面积下存储密度可提高30%至50%。这种从6F²到4F²的转变要求全新的设计和工艺流程，并具有显著的技术挑战。此技术不仅能提高存储能力，还能改善成本结构，为长鑫在市场竞争中创造优势。
长鑫的DDR5 RDIMM产品将直接面向服务器市场，需支持高强度的运行条件并通过严苛的兼容性测试。此进展可能加剧对三星电子和SK海力士的竞争压力，导致韩国股市出现显著下跌。
马斯克的观点表明市场正在区分各种存储产品，传统RAM的高度标准化和规模化生产能力会是竞争的关键，而下一代HBM和其他高端存储架构仍面临更多的技术挑战。
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